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Samsung 9100 PRO HS SSD 4TB PCIe 5.0 14800 MB/s
O Samsung 9100 PRO HS é um SSD de 4TB com interface PCIe 5.0, ideal para armazenamento de alta velocidade.
Preço final, sem IVA — isenção ao abrigo do Artigo 53.º do CIVA.
Disponível
Expedição estimada em 3–7 dias úteis.
Especificações técnicas
Dados do fornecedor
6 parâmetros- Marca
- Samsung
- Modelo
- MZ-VAP4T0CW
- Capacidad
- - 4TB
- Interfaz
- - PCIe Gen 5.0 x4 NVMe 2.0
- Tamaño
- - M.2 (2280)
- Rendimiento
- - Lectura secuencial: hasta 14.800 MB/s - Escritura secuencial: hasta 13.400 MB/s - Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 2.200.000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 2.600.000 IOPS
Descrição
O Samsung 9100 PRO HS SSD é uma solução de armazenamento de alto desempenho, projetada para utilizadores que exigem velocidade e fiabilidade. Com uma capacidade de 4TB e uma interface PCIe Gen 5.0 x4 NVMe 2.0, este SSD oferece velocidades de leitura sequencial de até 14.800 MB/s e escrita sequencial de até 13.400 MB/s, tornando-o ideal para tarefas que requerem transferência rápida de dados.
Graças à sua construção robusta e fiabilidade, o SSD apresenta um MTBF (Mean Time Between Failures) de 1,5 milhões de horas, garantindo um desempenho duradouro. As suas dimensões compactas de 80,15 x 25 x 8,88 mm e um peso de apenas 30 g tornam-no uma escolha prática para qualquer sistema.
Principais características:
- Capacidade: 4TB
- Interface: PCIe Gen 5.0 x4 NVMe 2.0
- Leitura sequencial: até 14.800 MB/s
- Escrita sequencial: até 13.400 MB/s
- Leitura aleatória (4KB, QD32): até 2.200.000 IOPS
- Escrita aleatória (4KB, QD32): até 2.600.000 IOPS
- Dimensões: 80,15 x 25 x 8,88 mm
- Peso: 30 g
- MTBF: 1,5 milhões de horas
Aplicações:
- Armazenamento de jogos e aplicações exigentes
- Processamento de grandes volumes de dados
- Sistemas de edição de vídeo e design gráfico
- Soluções de armazenamento para servidores e estações de trabalho
Informação importante:
- Consumo de energia médio: 9 W (modo ativo), 6,5 mW (inativo)
- Consumo em modo de suspensão: 5,7 mW
- Tensão admissível: 3,3 V ± 5%
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