Transistor N-MOSFET IRF540N TO220AB 100V 33A
Transistor N-MOSFET de potência IRF540N, ideal para comutação em fontes de alimentação e drivers de motor.
Preço final, sem IVA — isenção ao abrigo do Artigo 53.º do CIVA.
Disponível
Expedição estimada em 1–2 dias úteis.
Descrição
O transistor N-MOSFET IRF540N é um componente de potência que utiliza a tecnologia HEXFET. Com uma tensão de drenagem a fonte (Vds) de 100V, uma corrente de drenagem (Id) de 33A e uma potência dissipada (Pd) de 140W, este transistor é ideal para aplicações que exigem alta eficiência na comutação, como fontes de alimentação, drivers de motor e conversores DC-DC.
A sua carcaça TO220AB permite uma fácil montagem em placa de circuito impresso (PCB) através da técnica de montagem em THT. O transistor apresenta uma resistência de condução (Rds(on)) de 44mΩ e uma tensão de porta a fonte (Vgs) de ±20V, garantindo um desempenho estável e confiável durante a operação.
A embalagem em tubo simplifica a integração e armazenamento, tornando-o uma escolha prática para projetos eletrónicos.
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