As imagens são ilustrativas e cedidas pelo fabricante ou fornecedor. Podem existir diferenças na embalagem, cor, revisão ou acessórios incluídos, e a imagem pode mostrar uma quantidade diferente da vendida. Em caso de divergência, prevalecem a descrição e as especificações técnicas desta página — vê os Termos e Condições.
Transístor P-MOSFET x2 TrenchFET® -30V -5,9A SO8
Transístor P-MOSFET duplo com tecnologia TrenchFET®, ideal para aplicações de potência.
Preço final, sem IVA — isenção ao abrigo do Artigo 53.º do CIVA.
Disponível
Expedição estimada em 3–7 dias úteis.
Descrição
O transístor P-MOSFET x2 da VISHAY é uma solução robusta e eficiente para aplicações que exigem alta potência. Com uma tensão dreno-fonte de -30V e uma corrente de dreno de -5,9A, este componente é ideal para circuitos que requerem um desempenho fiável e eficiente.
Principais características:
- Tecnologia TrenchFET® para melhor eficiência energética
- Potência dissipada de 5W
- Resistência no estado de condução de apenas 41mΩ
- Montagem SMD, facilitando a integração em diversos projetos
- Caixa SO8, compacta e de fácil manuseio
Este transístor é perfeito para engenheiros e entusiastas que buscam uma solução de controlo de potência em aplicações eletrónicas, como fontes de alimentação, conversores e circuitos de comutação. Inclui uma carga de porta de 50nC, tornando-o eficiente em aplicações de alta frequência.
Produtos relacionados
Avaliações
Ainda sem avaliações — sê o primeiro a avaliar depois de comprar.
Inicia sessão com a conta que fez a compra para avaliar.
Iniciar sessãoAs avaliações dos clientes aparecem aqui.