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As imagens são ilustrativas e cedidas pelo fabricante ou fornecedor. Podem existir diferenças na embalagem, cor, revisão ou acessórios incluídos, e a imagem pode mostrar uma quantidade diferente da vendida. Em caso de divergência, prevalecem a descrição e as especificações técnicas desta página — vê os Termos e Condições.

VISHAY

Transístor P-MOSFET x2 TrenchFET® -30V -5,9A SO8

Ref. LZ-100657

Transístor P-MOSFET duplo com tecnologia TrenchFET®, ideal para aplicações de potência.

2,30 €

Disponível

Expedição estimada em 3–7 dias úteis.

Pagamento seguro
14 dias para devolução
Apoio via WhatsApp

Especificações técnicas

Dados do fornecedor

13 parâmetros
Tipo de transístor
P-MOSFET x2
Tecnologia
TrenchFET®
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
-30V
Corrente de dreno
-5,9A
Potência dissipada
5W
Caixa
SO8
Tensão descarga-fonte
±20V
Resistência no estado de condução
41mΩ
Montagem
SMD
Carga da porta
50nC
Espécie de embalagem
fita, rolo
Espécie de canal
enriquecido

Descrição

O transístor P-MOSFET x2 da VISHAY é uma solução robusta e eficiente para aplicações que exigem alta potência. Com uma tensão dreno-fonte de -30V e uma corrente de dreno de -5,9A, este componente é ideal para circuitos que requerem um desempenho fiável e eficiente. Principais características: - Tecnologia TrenchFET® para melhor eficiência energética - Potência dissipada de 5W - Resistência no estado de condução de apenas 41mΩ - Montagem SMD, facilitando a integração em diversos projetos - Caixa SO8, compacta e de fácil manuseio Este transístor é perfeito para engenheiros e entusiastas que buscam uma solução de controlo de potência em aplicações eletrónicas, como fontes de alimentação, conversores e circuitos de comutação. Inclui uma carga de porta de 50nC, tornando-o eficiente em aplicações de alta frequência.

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