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VISHAY
Transístor P-MOSFET x2 TrenchFET® -30V -5,9A SO8
Ref. LZ-100657
Transístor P-MOSFET duplo com tecnologia TrenchFET®, ideal para aplicações de potência.
2,30 €
Disponível
Expedição estimada em 3–7 dias úteis.
Pagamento seguro
14 dias para devolução
Apoio via WhatsApp
Especificações técnicas
Dados do fornecedor
13 parâmetros- Tipo de transístor
- P-MOSFET x2
- Tecnologia
- TrenchFET®
- Polarização
- unipolar
- Tensão dreno-fonte
- -30V
- Corrente de dreno
- -5,9A
- Potência dissipada
- 5W
- Caixa
- SO8
- Tensão descarga-fonte
- ±20V
- Resistência no estado de condução
- 41mΩ
- Montagem
- SMD
- Carga da porta
- 50nC
- Espécie de embalagem
- fita, rolo
- Espécie de canal
- enriquecido
Descrição
O transístor P-MOSFET x2 da VISHAY é uma solução robusta e eficiente para aplicações que exigem alta potência. Com uma tensão dreno-fonte de -30V e uma corrente de dreno de -5,9A, este componente é ideal para circuitos que requerem um desempenho fiável e eficiente.
Principais características:
- Tecnologia TrenchFET® para melhor eficiência energética
- Potência dissipada de 5W
- Resistência no estado de condução de apenas 41mΩ
- Montagem SMD, facilitando a integração em diversos projetos
- Caixa SO8, compacta e de fácil manuseio
Este transístor é perfeito para engenheiros e entusiastas que buscam uma solução de controlo de potência em aplicações eletrónicas, como fontes de alimentação, conversores e circuitos de comutação. Inclui uma carga de porta de 50nC, tornando-o eficiente em aplicações de alta frequência.
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